Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПодрябинкин, Д. А.-
dc.identifier.citationПодрябинкин, Д. А. : автореф. дисс. ... кандидата физико-математических наук : 05.16.08 / Д. А. Подрябинкин ; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2012. - 21 с.ru_RU
dc.description.abstractЦель работы: установление закономерностей проявленияспиновых свойств наноструктур, образованных атомами изотопа 29Si и триплетными центрами кислород-вакансия кремния на ступеньках вицинальных поверхностей монокристаллического кремния, для создания на их основе интегральных элементов для квантовой обработки информации.ru_RU
dc.subjectавторефераты диссертацийru_RU
dc.subjectизотоп 29Siru_RU
dc.subjectсистема спиновru_RU
dc.subject29Si isotoperu_RU
dc.subjectsystem of spinsru_RU
dc.titleСпиновые свойства ступенчатых наноструктур кремния с изотопом 29Siru_RU
dc.title.alternativeSpin properties of stepped silicon nanostructures with 29Si isotoperu_RU
dc.typeAbstract of the thesisru_RU
local.description.annotationObjective of the research: is to determine the regularities of spin properties of nanostructures formed by 29Si isotopes and oxygen-silicon vacancy triplet centers on the steps of vicinal single-crystal silicon surfaces in order to design on their basis elements for quantum information processing-
Appears in Collections:05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) (техническая и физико-математическая отрасли науки)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Подрябинкин.pdf1.22 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.