Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Спиновые свойства ступенчатых наноструктур кремния с изотопом 29Si
Other Titles: Spin properties of stepped silicon nanostructures with 29Si isotope
Authors: Подрябинкин, Д. А.
Keywords: авторефераты диссертаций;кремний;изотоп 29Si;система спинов;silicon;29Si isotope;system of spins
Issue Date: 2012
Publisher: БГУИР
Citation: Подрябинкин, Д. А. : автореф. дисс. ... кандидата физико-математических наук : 05.16.08 / Д. А. Подрябинкин ; науч. рук. В. Е. Борисенко. - Мн.: БГУИР, 2012. - 21 с.
Abstract: Цель работы: установление закономерностей проявленияспиновых свойств наноструктур, образованных атомами изотопа 29Si и триплетными центрами кислород-вакансия кремния на ступеньках вицинальных поверхностей монокристаллического кремния, для создания на их основе интегральных элементов для квантовой обработки информации.
Alternative abstract: Objective of the research: is to determine the regularities of spin properties of nanostructures formed by 29Si isotopes and oxygen-silicon vacancy triplet centers on the steps of vicinal single-crystal silicon surfaces in order to design on their basis elements for quantum information processing
Appears in Collections:05.16.08 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике) (техническая и физико-математическая отрасли науки)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Подрябинкин.pdf1.22 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.