https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54184| Title: | Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием |
| Authors: | Абрамов, И. И. Коломейцева, Н. В. Лабунов, В. А. Щербакова, И. Ю. |
| Keywords: | публикации ученых;вольт-амперные характеристики;диоды;резонансно-туннельные диоды;вертикальный транспорт |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Институт радиоэлектроники и интеллектуальных технических систем Севастопольского государственного университета |
| Citation: | Моделирование вертикального транспорта электронов в устройствах с последовательным туннелированием / И. И. Абрамов [и др.] // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : материалы 33-й Международной Крымской конференции (КрыМиКо’2023), Севастополь, 10–16 сентября 2023 / Севастопольский государственный университет. – Севастополь, 2023. – C. 140. |
| Abstract: | В работе рассмотрено моделирование вольт-амперных характеристик (ВАХ) резонансно-туннельных диодов (РТД) с вертикальным транспортом, а также возможность моделирования устройств с последовательным туннелированием. Расчеты проводились с использованием разработанной комбинированной модели, основанной на численном решении уравнений Шредингера и Пуассона в активной области прибора. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54184 |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Abramov_Modelirovanie.pdf | 780.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.