Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54464
Title: Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме
Other Titles: Deposition of SiNx Films with Controlled Residual Stress from SiH4-NH3-He Gaseous Mixture in Inductively Coupled Plasma
Authors: Ковальчук, Н. С.
Демидович, С. А.
Власукова, Л. А.
Пархоменко, И. Н.
Keywords: доклады БГУИР;механические напряжения;кремниевые подложки;полупроводниковые приборы
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Управление механическими напряжениями в пленках SiNx при осаждении из смеси SiH4-NH3-He в индуктивно-связанной плазме = Deposition of SiNx Films with Controlled Residual Stress from SiH4-NH3-He Gaseous Mixture in Inductively Coupled Plasma / Н. С. Ковальчук [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 1. – С. 5–12.
Abstract: Исследованы остаточные механические напряжения в пленках SiNx, осажденных на кремниевые подложки из смеси газов SiH4-NH3-He в реакторе индуктивно связанной плазмы при температуре 150 °С. Показано, что величиной и знаком остаточных механических напряжений можно управлять за счет изменения условий осаждения пленок. Варьируя соотношением расходов реагирующих газов, мощ ностью плазменного источника и давлением в реакционной камере, можно получать пленки SiNx с растягивающими или сжимающими остаточными напряжениями. Оценен дрейф напряжений в течение четырех недель после осаждения пленок. Отмечено, что для нитридных пленок с остаточными напряжениями, изначально близкими к нулю, при хранении наблюдается рост уровня сжимающих напряжений до (–300) МПа.
Alternative abstract: We have studied residual mechanical stresses of SiNx films deposited on silicon substrates from a SiH4-NH3-He gaseous mixture in an inductively coupled plasma reactor at a deposition temperature of 150 °C. By varying the flow rate ratio of the reacting gases, the power of the plasma source and the pressure in the reaction chamber, it is possible to obtain SiNx films with tensile or compressive residual stresses. The stress drift was estimated within four weeks after film deposition. It has been shown that for nitride films with residual stresses initially close to zero, an increase in the level of compressive stresses to (–300) MPa is observed during storage.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/54464
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-1-5-12
Appears in Collections:Том 22, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Koval'chuk_Upravelenie.pdf989.22 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.