Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56724
Title: Исследование процесса электрохимического формирования покрытий оловом
Authors: Бразаускас, Г. А.
Keywords: материалы конференций;электрохимические покрытия;покрытие оловом;электрохимическое осаждение
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Бразаускас, Г. А. Исследование процесса электрохимического формирования покрытий оловом / Г. А. Бразаускас, Д. Ю. Гульпа, И. И. Кузьмар // 60-я юбилейная научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов учреждения образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники» : материалы конференции, Минск, 22–26 апреля 2024 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2024. – С. 55–57.
Abstract: Электрохимическим методом получены покрытия Sn на постоянном токе при различной плотности тока. Получены морфологии покрытий. Исследование кинетических закономерностей изучены методом вольтамперометрии с использованием импульсного потенциостата-гальваностата при линейной скорости развертки потенциала 5 мВ/с. Исследованы функциональные свойства покрытий Sn при различной плотности тока (паяемость, коррозионная стойкость, электроконтактное сопротивление). Установлено, что при увеличении плотности тока с 1 до 7 А/дм2: выход по току уменьшается с 96,32 до 32,17 %, контактное электросопротивление увеличивается с 2,28 до 23,65 мОм, коэффициент растекания припоя увеличивается с 67,35 до 88,05 %. Лучшее качество покрытия получено при осаждении покрытия на плотности тока 3 А/дм2.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/56724
Appears in Collections:60-я научная конференция аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР (2024)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Brazauskas_Issledovanie.pdf657.63 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.