Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57399
Title: Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе легированных алюминием и никелем пленок оксида цинка
Other Titles: UV-Photodetectors Based on Zinc Oxide Films Doped with Aluminum and Nickel
Authors: Греков, И. А.
Янушкевич, К. О.
Чубенко, Е. Б.
Бондаренко, В. П.
Keywords: доклады БГУИР;гидротермальное осаждение;фотодетекторы;ультрафиолетовое излучение
Issue Date: 2024
Publisher: БГУИР
Citation: Фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе легированных алюминием и никелем пленок оксида цинка = UV-Photodetectors Based on Zinc Oxide Films Doped with Aluminum and Nickel / И. А. Греков [и др.] // Доклады БГУИР. – 2024. – Т. 22, № 4. – С. 14–21.
Abstract: Комбинированием методов золь-гель и гидротермального осаждения на стеклянных подложках получены тонкопленочные покрытия из оксида цинка с примесью никеля и алюминия. Исследования структуры и состава пленок методами сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской и рамановской спектроскопии показали, что они состоят из плотноупакованных кристаллитов оксида цинка, легированных примесными атомами никеля и алюминия. На основе полученных пленок изготовлены фотоприемники резистивного типа. Показано, что при облучении светом ультрафиолетового диапазона с длиной волны менее 400 нм удельное сопротивление структуры уменьшается с 190–210 до 7,5–8,0 Ом⋅см. Достигнутое время отклика при нарастании светового импульса – 48 с, тогда как время спада составляет ≈700 с.
Alternative abstract: By combining sol-gel and hydrothermal deposition methods on glass substrates, thin-film coatings of zinc oxide doped with nickel and aluminum were obtained. Studies of the structure and composition of the films using scanning electron microscopy, energy-dispersive X-ray and Raman spectroscopy have shown that they consist of close-packed zinc oxide crystallites doped with impurity atoms of nickel and aluminum. Resistive type photodetectors were manufactured based on the films obtained. It has been shown that when irradiated with ultraviolet light with a wavelength less than 400 nm, the resistivity of the structure decreases from 190–210 to 7.5–8.0 Ohm⋅cm. The achieved response time for the rise of the light pulse is 48 s, while the decay time is ≈700 s.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/57399
DOI: http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2024-22-4-14-21
Appears in Collections:Том 22, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Grekov_Fotopriemniki.pdf1.25 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.