| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Казючиц, В. О. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.contributor.author | Жданович, В. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2024-12-12T08:12:21Z | - |
| dc.date.available | 2024-12-12T08:12:21Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Патент BY 24452, МПК G01R 31/26 (2020.01), G01N 25/18 (2006.01). Способ контроля теплового сопротивления "кристалл-корпус" транзисторов при контроле их качества : № a 20220125 ; заявлено 12.05.2022 ; опубликовано 05.12.2024 / Казючиц В. О., Боровиков С. М., Шнейдеров Е. Н., Жданович В. П. ; заявитель Учреждение образования "Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники". – 6 с. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/58486 | - |
| dc.description.abstract | Изобретение относится к контролю качества элементов полупроводниковой электроники путем определения их тепловых параметров и относится к контролю теплового сопротивления "кристалл-корпус" у полевых и биполярных транзисторов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | Национальный центр интеллектуальной собственности | en_US |
| dc.subject | патенты | en_US |
| dc.subject | полупроводниковая электроника | en_US |
| dc.subject | биполярные транзисторы | en_US |
| dc.subject | тепловые процессы | en_US |
| dc.title | Способ контроля теплового сопротивления "кристалл-корпус" транзисторов при контроле их качества | en_US |
| dc.title.alternative | Патент BY 24452, МПК G01R 31/26 (2020.01), G01N 25/18 (2006.01) | en_US |
| dc.type | Other | en_US |
| Appears in Collections: | Изобретения
|
