https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59528| Title: | Электрические и оптические характеристики фотодетектора ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода ОСУНТ/ кремний в широком диапазоне температур |
| Other Titles: | Electrical and optical characteristics of UV photodetector based on SWCNT/ silicon heterojunction in a wide temperature range |
| Authors: | Дронина, Е. А. Ковальчук, Н. Г. Данилюк, А. Л. Прищепа, С. Л. |
| Keywords: | материалы конференций;защита информации;тонкие пленки;химическое парофазное осаждение;рамановская спектроскопия;барьер Шоттки;факторы неидеальности;фотодетекторы;фоточувствительность |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Электрические и оптические характеристики фотодетектора ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода ОСУНТ/ кремний в широком диапазоне температур = Electrical and optical characteristics of UV photodetector based on SWCNT/ silicon heterojunction in a wide temperature range / Е. А. Дронина, Н. Г. Ковальчук, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа // Технические средства защиты информации : материалы ХXIII Международной научно-технической конференции, Минск, 08 апреля 2025 года / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники [и др.] ; редкол.: О. В. Бойправ [и др.]. – Минск, 2025. – С. 145–149. |
| Abstract: | Исследованы электрические и оптические характеристики фотодетектора ультрафиолетового излучения на основе гетероперехода ОСУНТ/кремний в температурном диапазоне от 20К до ЗООК. Полученные результаты позволяют получить важное представление о количественной характеристике высоты барьера Шоттки между умеренно легированным кремнием и пленкой из ОСУНТ. Также подобное исследование необходимо для более глубокого понимания фундаментальных принципов работы разрабатываемых на их основе фотодетекторов и расширения их рабочих температур. |
| Alternative abstract: | The electrical and optical characteristics of the ultraviolet photodetector based on SWCNT/silicon heterojunction in the temperature range from 20K to 300K have been investigated. The results obtained provide important insights into the quantitative characterization of the Schottky barrier height between moderately doped silicon and SWCNT film. Also, such a study is necessary for a deeper understanding of the of the fundamental principles of operation of photodetectors developed on their basis and expansion of their operating temperatures. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59528 |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2025 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Dronina_EHlektricheskie.pdf | 402.88 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.