Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59990
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГовса, М. В.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2025-06-04T09:23:47Z-
dc.date.available2025-06-04T09:23:47Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationГовса, М. В. Компьютерная программа для прогнозирования надёжности по постепенным отказам биполярных транзисторов методом имитационных воздействий = Computer program for predicting gradual failures of bipolar transistors by the method of simulation effects / М. В. Говса // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 149–151.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59990-
dc.description.abstractРазработана компьютерная программа, предназначенная для получения по результатам обучающего эксперимента имитационной модели наработки биполярных транзисторов. Модель представляет функцию пересчёта заданной (интересующей) наработки на значение имитационного воздействия, в качестве которого рассматривается ток коллектора. Результат измерения электрического функционального параметра транзистора (конкретного экземпляра) при установлении тока коллектора, равного рассчитанному значению по имитационной модели, рассматривается в качестве прогноза электрического параметра для заданной наработки, что позволяет принять решение о возможном постепенном отказе экземпляра из числа, не участвовавших в обучающем эксперименте. Обеспечена возможность запуска компьютерной программы, написанной на языке программирования JavaScript, как обычной прикладной программы с использованием операционной системы Windowsen_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectбиполярные транзисторыen_US
dc.subjectпостепенные отказыen_US
dc.subjectимитационные воздействияen_US
dc.titleКомпьютерная программа для прогнозирования надёжности по постепенным отказам биполярных транзисторов методом имитационных воздействийen_US
dc.title.alternativeComputer program for predicting gradual failures of bipolar transistors by the method of simulation effectsen_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationA computer program has been developed to obtain a simulation model of bipolar transistor operating time based on the results of a training experiment. The model represents a function for recalculating a given operating time by the value of a simulation effect, which is considered to be the collector current. The result of measuring the electrical functional parameter of a transistor when establishing a collector current equal to the value calculated by the simulation model is considered as a forecast of the electrical parameter for a given operating time, which allows making a decision on a possible gradual failure of an instance that did not participate in the training experiment. The ability to run a computer program written in the JavaScript programming language as a regular application program using the Windows operating system is provided.en_US
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Govsa_Komp'yuternaya.pdf769.11 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.