Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60284
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЖук, Е. В.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2025-06-17T07:30:48Z-
dc.date.available2025-06-17T07:30:48Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationЖук, Е. В. Прогнозирование электрических функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработок = Forecasting electrical functional parameters of bipolar transistors for long-term operating time / Е. В. Жук // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 171–174.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60284-
dc.description.abstractНа примере транзисторов КТ872А показана возможность прогнозирования функционального параметра биполярных транзисторов на длительных наработках с помощью электрических имитационных воздействий (тока коллектора или обратного напряжения). Метод заключается в измерении параметра транзисторов при токе или напряжении, имитирующих заданную наработку и определяемых по заранее полученнойфункции связи. Использование электрических воздействий сокращает время прогнозирования по сравнению с температурным воздействием, а также исключает необходимость использования сложного и дорогостоящего оборудования для поддержания имитационной температуры. Предложенный подход упрощает и ускоряет процесс прогнозирования функциональных параметров транзисторов для заданных наработок.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectбиполярные транзисторыen_US
dc.subjectпрогнозированиеen_US
dc.subjectпараметры электрической энергииen_US
dc.titleПрогнозирование электрических функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработокen_US
dc.title.alternativeForecasting electrical functional parameters of bipolar transistors for long-term operating timeen_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationThe example of KT872A transistors demonstrates the possibility of predicting the functional parameter of bipolar transistors for long-term operation times using electrical simulation effects (collector current or reverse voltage). The method consists of measuring the transistor parameter at a current or voltage simulating a given operation time and determined by a previously obtained of coupling function. The use of electrical effects reduces the prediction time compared to temperature effects, and also eliminates the need to use complex and expensive equipment to maintain the simulation temperature. The proposed approach simplifies and accelerates the process of predicting the functional parameters of transistors for given operation times.en_US
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ZHuk_Prognozirovanie.pdf635.8 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.