| Title: | Прогнозирование электрических функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработок |
| Other Titles: | Forecasting electrical functional parameters of bipolar transistors for long-term operating time |
| Authors: | Жук, Е. В. |
| Keywords: | материалы конференций;биполярные транзисторы;прогнозирование;параметры электрической энергии |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Жук, Е. В. Прогнозирование электрических функциональных параметров биполярных транзисторов для длительных наработок = Forecasting electrical functional parameters of bipolar transistors for long-term operating time / Е. В. Жук // Электронные системы и технологии : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 21–25 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Д. В. Лихаческий [и др.]. – Минск, 2025. – С. 171–174. |
| Abstract: | На примере транзисторов КТ872А показана возможность прогнозирования функционального параметра биполярных транзисторов на длительных наработках с помощью электрических имитационных воздействий (тока коллектора или обратного напряжения). Метод заключается в измерении параметра транзисторов при токе или напряжении, имитирующих заданную наработку и определяемых по заранее полученнойфункции связи. Использование электрических воздействий сокращает время прогнозирования по сравнению с температурным воздействием, а также исключает необходимость использования сложного и дорогостоящего оборудования для поддержания имитационной температуры. Предложенный подход упрощает и ускоряет процесс прогнозирования функциональных параметров транзисторов для заданных
наработок. |
| Alternative abstract: | The example of KT872A transistors demonstrates the possibility of predicting the functional parameter of bipolar transistors for long-term operation times using electrical simulation effects (collector current or reverse voltage). The method consists of measuring the
transistor parameter at a current or voltage simulating a given operation time and determined by a previously obtained of coupling function. The use of electrical effects reduces the prediction time compared to temperature effects, and also eliminates the need to use complex and expensive equipment to maintain the simulation temperature. The proposed approach simplifies and
accelerates the process of predicting the functional parameters of transistors for given operation times. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60284 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 61-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)
|
