| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Шрамов, И. И. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-06-20T07:24:26Z | - |
| dc.date.available | 2025-06-20T07:24:26Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Шрамов, И. И. Технология изготовления TFT: сравнение метода обратного травления канала с методом прерывания травления / И. И. Шрамов // Радиотехника и электроника : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–23 апреля 2025 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2025. – С. 251–252. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60376 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе приведено сравнение двух наиболее популярных методов формирования тонкоплёночных транзисторов (TFT) на аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si:H, а именно технологии с обратным травлением канала с нижним расположением затвора и технологии с прерыванием травления. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | транзисторы | en_US |
| dc.subject | тонкопленочные транзисторы | en_US |
| dc.subject | травление металла | en_US |
| dc.title | Технология изготовления TFT: сравнение метода обратного травления канала с методом прерывания травления | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)
|
