Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60376
Title: Технология изготовления TFT: сравнение метода обратного травления канала с методом прерывания травления
Authors: Шрамов, И. И.
Keywords: материалы конференций;транзисторы;тонкопленочные транзисторы;травление металла
Issue Date: 2025
Publisher: БГУИР
Citation: Шрамов, И. И. Технология изготовления TFT: сравнение метода обратного травления канала с методом прерывания травления / И. И. Шрамов // Радиотехника и электроника : сборник материалов 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–23 апреля 2025 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2025. – С. 251–252.
Abstract: В данной работе приведено сравнение двух наиболее популярных методов формирования тонкоплёночных транзисторов (TFT) на аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si:H, а именно технологии с обратным травлением канала с нижним расположением затвора и технологии с прерыванием травления.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60376
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2025)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
SHramov_Tekhnologiya.pdf481.79 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.