| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Иванов, В. Д. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-06-24T08:02:58Z | - |
| dc.date.available | 2025-06-24T08:02:58Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Иванов, В. Д. Исследования влияния температуры на работу кремниевых биполярных транзисторов = Investigation of the effect of temperature on the operation of silicon bipolar junction transistors / В. Д. Иванов // Компьютерные системы и сети : материалы 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 22–26 апреля 2025 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2025. – С. 367–371. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/60453 | - |
| dc.description.abstract | Целью статьи является экспериментальное исследование влияния температуры на статические характеристики
кремниевого биполярного транзистора КТ315В (n-p-n). Значимость исследования обусловлена необходимостью достижения
термостабильности в электронных приборах, работающих в неблагоприятных температурных условиях. В ходе исследования
предполагается создать прибор для измерения параметров транзистора: коэффициента усиления по току, тока коллектора и
напряжения база-эмиттер в диапазоне температур от +25°С до +120°С. Для проведения исследования будут использованы
мультиметры, блок питания, резисторы и управляемый источник нагрева. Полученные результаты показывают степень изменения
параметров транзистора от температурных условий и рекомендации по совершенствованию схемотехнических решений с целью
повышения надежности приборов на основе модели КТ315В.. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | экспериментальные исследования | en_US |
| dc.subject | кремниевые транзисторы | en_US |
| dc.title | Исследования влияния температуры на работу кремниевых биполярных транзисторов | en_US |
| dc.title.alternative | Investigation of the effect of temperature on the operation of silicon bipolar junction transistors | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | The study is aimed at the experimental analysis of the temperature effect on the static characteristics of the silicon
bipolar transistor KT315V (n-p-n). The relevance of the work is due to the need to ensure thermal stability of electronic devices
operating under extreme temperature conditions. The study plans to assemble a setup for measuring transistor parameters (current
gain, collector current, base-emitter voltage in the temperature range from +25°C to +120°C. The methodology includes the use of
multimeters, a power supply, resistors, and a controlled heating source. The results are expected to reveal the degree of transistor
parameter drift under thermal influence, which will allow formulating recommendations for optimizing circuit solutions to improve the
reliability of KT315V-based devices. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерные системы и сети : материалы 61-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов : сборник статей (2025)
|
