| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Хмыль, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Кузьмар, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Кушнер, Л. К. | - |
| dc.contributor.author | Богуш, Л. В. | - |
| dc.contributor.author | Борисик, М. М. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-09-23T07:47:03Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-23T07:47:03Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения = Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices / А. А. Хмыль [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 16–22. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61599 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние состава электролита и программируемых импульсно-реверсных
режимов на скорость и равномерность формирования объемных серебряных выводов
полупроводниковых приборов. Показано, что использование нестационарных режимов
электролиза позволяет снизить их боковое разрастание и разновысотность по пластине,
улучшить качественные характеристики изделий, увеличить количество приборов,
получаемых на одной полупроводниковой пластине, и, тем самым, повысить
производительность технологического процесса и обеспечить экономию драгметаллов. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | серебряные электрохимические покрытия | en_US |
| dc.subject | нестационарные электролизы | en_US |
| dc.subject | объемные выводы | en_US |
| dc.title | Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения | en_US |
| dc.title.alternative | Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices | en_US |
| local.description.annotation | Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump
semiconductor blocked has reduced lateral expansion of different height on the plate, to improve the
qualitative characteristics of the product, increase the number of devices produced on a semiconductor
wafer, and thereby improve process performance and achieve economies of precious metals. | en_US |
| Appears in Collections: | №8 (78)
|
