Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61599
Title: Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения
Other Titles: Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices
Authors: Хмыль, А. А.
Кузьмар, И. И.
Кушнер, Л. К.
Богуш, Л. В.
Борисик, М. М.
Завадский, С. М.
Keywords: доклады БГУИР;серебряные электрохимические покрытия;нестационарные электролизы;объемные выводы
Issue Date: 2013
Publisher: БГУИР
Citation: Формирование объемных выводов полупроводниковых приборов методом электрохимического осаждения = Electrodeposition of solder bump to semiconductor devices / А. А. Хмыль [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 16–22.
Abstract: Исследовано влияние состава электролита и программируемых импульсно-реверсных режимов на скорость и равномерность формирования объемных серебряных выводов полупроводниковых приборов. Показано, что использование нестационарных режимов электролиза позволяет снизить их боковое разрастание и разновысотность по пластине, улучшить качественные характеристики изделий, увеличить количество приборов, получаемых на одной полупроводниковой пластине, и, тем самым, повысить производительность технологического процесса и обеспечить экономию драгметаллов.
Alternative abstract: Using nonstationary regimes electrolysis for electrodepositing silver solder bump semiconductor blocked has reduced lateral expansion of different height on the plate, to improve the qualitative characteristics of the product, increase the number of devices produced on a semiconductor wafer, and thereby improve process performance and achieve economies of precious metals.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61599
Appears in Collections:№8 (78)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Hmyl'_Formirovanie.pdf1.07 MBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.