| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сохраби Анараки, Х. | - |
| dc.contributor.author | Гапопненко, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Руденко, М. В. | - |
| dc.contributor.author | Завадский, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.contributor.author | Колосницын, Б. С. | - |
| dc.contributor.author | Колос, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2025-09-26T08:26:56Z | - |
| dc.date.available | 2025-09-26T08:26:56Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники = Sol-gel synthesis of strontium titanate thin films and perspectives of their applications in production of elements of electronic device / Х. Сохраби Анараки [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 10–15. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61618 | - |
| dc.description.abstract | Золь-гель методом получены пленки титаната стронция на подложках кремния. Фаза
титаната стронция зарегистрирована методом рентгенофазового анализа после
термообработки при температуре 750–1000 °С. Толщина пленок, полученных методом
центрифугирования, изменяется от 90 до 250 нм в зависимости от числа формируемых
слоев. Обсуждаются перспективы развития золь-гель метода для формирования пленочных
элементов электронной техники, а также варисторов и конденсаторов, на основе
ксерогелей SrTiO3. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | пленки | en_US |
| dc.subject | центрифугирование | en_US |
| dc.subject | ксерогели | en_US |
| dc.title | Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники | en_US |
| dc.title.alternative | Sol-gel synthesis of strontium titanate thin films and perspectives of their applications in production of elements of electronic device | en_US |
| local.description.annotation | The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method. The
strontium titanate phase was registered with X-ray diffraction analysis after heat treatment in the
temperature range 750–1000 °C. The films were deposited by spin-on technique and the film
thickness was in the range of 90–250 nm depending on numbers of layer. The perspectives of
developments of the sol-gel method for the formation of elements of electronic device as well as
varistors and capacitors on the basis of SrTiO3 xerogels are discussed. | en_US |
| Appears in Collections: | №8 (78)
|
