Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники

Сохраби Анараки, Х.; Гапопненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Колосницын, Б. С.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61618

Title:	Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники
Other Titles:	Sol-gel synthesis of strontium titanate thin films and perspectives of their applications in production of elements of electronic device
Authors:	Сохраби Анараки, Х. Гапопненко, Н. В. Руденко, М. В. Завадский, С. М. Голосов, Д. А. Колосницын, Б. С. Колос, В. В. Петлицкий, А. Н. Турцевич, А. С.
Keywords:	доклады БГУИР;пленки;центрифугирование;ксерогели
Issue Date:	2013
Publisher:	БГУИР
Citation:	Золь-гель синтез пленок титаната стронция и перспективы их применения для изготовления элементов электронной техники = Sol-gel synthesis of strontium titanate thin films and perspectives of their applications in production of elements of electronic device / Х. Сохраби Анараки [и др.] // Доклады БГУИР. – 2013. – № 8 (78). – С. 10–15.
Abstract:	Золь-гель методом получены пленки титаната стронция на подложках кремния. Фаза титаната стронция зарегистрирована методом рентгенофазового анализа после термообработки при температуре 750–1000 °С. Толщина пленок, полученных методом центрифугирования, изменяется от 90 до 250 нм в зависимости от числа формируемых слоев. Обсуждаются перспективы развития золь-гель метода для формирования пленочных элементов электронной техники, а также варисторов и конденсаторов, на основе ксерогелей SrTiO3.
Alternative abstract:	The strontium titanate thin films were fabricated on silicon using the sol-gel method. The strontium titanate phase was registered with X-ray diffraction analysis after heat treatment in the temperature range 750–1000 °C. The films were deposited by spin-on technique and the film thickness was in the range of 90–250 nm depending on numbers of layer. The perspectives of developments of the sol-gel method for the formation of elements of electronic device as well as varistors and capacitors on the basis of SrTiO3 xerogels are discussed.
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/61618
Appears in Collections:	№8 (78)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Sohrabi_Zol'-gel'.pdf		1.11 MB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar