Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/618
Title: Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе
Authors: Ловшенко, И. Ю.
Keywords: биполярный транзистор с изолированным затвором;конструкция;технология изготовления;оптимизация;материалы конференций
Issue Date: 2014
Publisher: БГУИР
Citation: Ловшенко, И. В. Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе // Международная научно-техническая конференция, приуроченная к 50-летию МРТИ–БГУИР (Минск, 18–19 марта 2014 года) : материалы конф. В 2 ч. Ч. 2 / редкол. : А. Н. Осипов [и др.]. – Минск : БГУИР, 2014. - C. 85-86
Abstract: С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных микросхем (ИМС),а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится важной для производителей коммерческой микроэлектроники.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/618
ISBN: 978-985-543-038-5
Appears in Collections:Секция «Микро- и наноэлектроника»

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
моделирование одиночного.pdf429.68 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.