Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62279
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЖуравлев, В. И.-
dc.contributor.authorНаумович, Н. М.-
dc.contributor.authorСтежко, И. К.-
dc.contributor.authorКолбун, В. С.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2025-12-03T06:38:45Z-
dc.date.available2025-12-03T06:38:45Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citationТепловое моделирование микросхемы усилителя мощности Х диапазона / В. И. Журавлев, Н. М. Наумович, И. К. Стежко, В. С. Колбун // Информационные технологии и системы 2025 (ИТС 2025) : материалы международной научной конференции, Минск, 19 ноября 2025 / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: Л. Ю. Шилин [и др.]. – Минск, 2025. – С. 167–168.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/62279-
dc.description.abstractПредложена тепловая модель бескорпусной монолитной микросхемы усилителя в составе приёмопередающего модуля. Результаты моделирования показывают, что при максимально допустимой постоянной входной мощности обеспечивается допустимый нагрев и равномерное распределение теплового поля в области размещения кристалла усилителя.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectприёмопередающие модулиen_US
dc.subjectбескорпусные монолитные микросхемыen_US
dc.subjectрадиочастотные переключателиen_US
dc.titleТепловое моделирование микросхемы усилителя мощности Х диапазонаen_US
dc.typeArticleen_US
Appears in Collections:ИТС 2025

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ZHuravlyov_Teplovoe.pdf1.59 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.