Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.)

Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.

Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272

Title:	Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.)
Authors:	Кривошеева, А. В. Шапошников, В. Л. Борисенко, В. Е.
Keywords:	отчеты о НИР;двумерный кристалл;зонная структура;оптические свойства;вакансионные дефекты
Issue Date:	2015
Publisher:	БГУИР
Citation:	Фундаментальные электронные и оптические свойства двумерных кристаллов дисульфидов тугоплавких металлов MoS2, WS2, TiS2 и TaS2 и соединений на их основе для создания наноэлектронных приборов на интерференционных эффектах : отчет о НИР (заключ.) / БГУИР; научный руководитель А. В. Кривошеева ; отв. исполнитель В. Л. Шапошников – Минск, 2015. – 77 с. - № ГР 20132360
Series/Report no.:	№ Ф13Ф-001;
Abstract:	Проведено компьютерное моделирование фундаментальных структурных, электронных и оптических свойств двумерных кристаллов MoS2, WS2, TiS2, TaS2 методами из первых принципов. Установлено, что вакансионные дефекты приводят к изменению характера энергетической щели, что может быть использовано для модификации транспортных свойств и характеристик полевых транзисторов на их основе.
Gov't Doc #:	№ ГР 20132360
URI:	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6272
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2015

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
№ ГР 20132360 (13-7034)_Рук_НИР_Кривошеева.pdf Restricted Access		3.32 MB	Adobe PDF	View/Open Request a copy

Show full item record Google Scholar