Влияние технологических параметров осаждения диэлектрических слоев методом ICP CVD на поверхностные токи утечки в AlGaN/GaN HEMT

Abstract

Исследовано влияние технологических параметров осаждения диэлектрических пассивирую щих пленок методом ICP CVD (соотношение газов, мощность индуктивно-связанной плазмы, температура подложки, рабочее давление) на структурные и электрофизические свойства слоев AlGaN-поверхности. Показано, что предварительная плазмохимическая обработка AlGaN в кислородной среде приводит к фор мированию контролируемого оксидного интерфейса, снижающего поверхностные состояния и подавляю щего токи утечки сток-исток в закрытом состоянии на два-три порядка. Установлена корреляция между ре жимами осаждения нитрида кремния (SiN) и степенью плазменного повреждения AlGaN/GaN-гетерострук тур. Для минимизации деградации предложен композитный диэлектрик на основе кислородсодержащего нитрида кремния (SiON). Ключевым результатом является разработка комбинированного подхода: пред варительная модификация поверхности AlGaN кислородной плазмой с последующим осаждением SiON в мягком режиме ICP CVD (мощность ≤300 Вт, давление ≥14 Па). Полученные результаты демонстрируют перспективность комбинированного подхода (предварительная модификация поверхности + управляемая пассивация) для минимизации деградации электрофизических свойств HEMT-структур.