https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63557| Title: | Исследование особенностей групповой плазмохимической обработки кремниевых пластин при непрерывном режиме генерации СВЧ разряда |
| Authors: | Тихон, О. И. Лушакова, М. С. |
| Keywords: | публикации ученых;кремниевые пластины;плазменные процессы;химическая обработка;плазменные технологии;обработка полупроводников |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы |
| Citation: | Тихон, О. И. Исследование особенностей групповой плазмохимической обработки кремниевых пластин при непрерывном режиме генерации СВЧ разряда / О. И. Тихон, М. С. Лушакова // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – Гродно, 2026. – С. 328–330. |
| Abstract: | Изучено влияние загруженности реакционно-разрядного объёма установки СВЧ плазменной обработки кремниевыми пластинами на параметры интегрального оптического свечения разряда при непрерывном режиме плазмообразования. Установлено значительное снижение амплитуды оптического сигнала при минимальном оцениваемом уровне вводимой в разряд мощности с ростом количества кремниевых пластин в рабочей камере. При реализации процесса удаления фоторезиста с поверхности кремниевых пластин подтверждено наличие «эффекта загрузки» при групповой обработке, связанного с поглощением объёмом кремния части подводимой электромагнитной энергии. |
| Alternative abstract: | The study examined the effect of silicon wafer packing density of the reaction-discharge chamber of a microwave plasma treatment system on the parameters of integral optical discharge luminescence during continuous plasma formation. A significant decrease in the amplitude of the optical signal was observed at the minimum evaluated level of power input into the discharge with an increase in the number of silicon wafers in the processing chamber. In the process of photoresist stripping from the silicon wafers the presence of a batch processing ‘loading effect’ was confirmed. It is associated with the absorption of part of the supplied electro magnetic energy by the volume of silicon material. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63557 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Tihon_Issledovanie.pdf | 283.61 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.