https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63562| Title: | Влияние материала межслоевой изоляции цифровых интегральных микросхем на их динамические характеристики |
| Authors: | Лихтар, Ю. Л. Новиков, П. Э. Ловшенко, И. Ю. |
| Keywords: | публикации ученых;межслоевая изоляция;цифровые интегральные микросхемы;динамические характеристики;изоляционные материалы;электроника;электромагнитные помехи |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | Гродненский государственный университет имени Янки Купалы |
| Citation: | Лихтар, Ю. Л. Влияние материала межслоевой изоляции цифровых интегральных микросхем на их динамические характеристики / Ю. Л. Лихтар, П. Э. Новиков, И. Ю. Ловшенко // Физика конденсированного состояния : материалы ХХХIV Международной научно-практической конференции студентов, магистрантов, аспирантов и молодых учёных, Гродно, 23–24 апреля 2026 г. / Гродненский государственный университет имени Янки Купалы ; редкол.: А. С. Воронцов (гл. ред.) [и др.]. – Гродно, 2026. – С. 260–262. |
| Abstract: | Проведено исследование влияния диэлектрической проницаемости материалов межслойной изоляции на динамические параметры КМОП-инвертора, выполненного по технологии с проектными нормами 0,35 мкм. Реализован процесс сквозного моделирования, включающего приборно-технологическое и схемотехническое моделирование, разработку топологии и экстракцию паразитных элементов (резисторов и конденсаторов) для четырех конструктивных решений, отличающихся материалом межслойной изоляции (SiCOH, FSG, SiO2, SiNx). Исследованы динамические характеристики конструктивных решений. Установлено, что при изменении диэлектрической проницаемости от 1,0 (схемотехническое моделирование без учета паразитных R- и C-элементов) до 7,5 задержка переключения из лог. «0» в лог. «1» уменьшается на 34,3 %, а из лог. «1» в лог. «0» – увеличивается на 17,4 %. При этом статическая мощность увеличивается на 15,1 %, а динамическая – не более чем на 45,0 %. Сформулированы рекомендации по выбору оптимальных материалов межслойной изоляции для различных применений. |
| Alternative abstract: | This study investigates the influence of the dielectric permittivity of interlayer dielectric (ILD) materials on the dynamic pa rameters of a CMOS inverter fabricated using a 0,35 μm technology node. A comprehensive simulation flow was implemented, en compassing technology computer-aided design (TCAD) for device and process simulation, circuit-level simulation, layout design, and parasitic extraction (resistive and capacitive elements) for four design variants differing in ILD material (SiCOH, FSG, SiO2, SiNx). The dynamic characteristics of these configurations were systematically analyzed. It was established that varying the relative permittivity from 1,0 (circuit simulation without accounting for parasitic R and C elements) to 7,5 results in a 34,3 % reduction in the propagation delay for the low-to-high logic transition and a 17,4 % increase for the high-to-low transition. Concurrently, static power consumption increases by 15,1 %, while dynamic power consumption rises by no more than 45,0 %. Based on these findings, rec ommendations are formulated for the selection of optimal ILD materials tailored to specific application requirements. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63562 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Lihtar_Vliyanie.pdf | 1.19 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.