| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Захаревич, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-05-12T07:52:37Z | - |
| dc.date.available | 2026-05-12T07:52:37Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.date.submitted | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Захаревич, А. А. Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм = The impact of off-axis illumination on the optimization of the 250–350 nm projection photolithography process / А. А. Захаревич, И. Ю. Ловшенко // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 2. – С. 37–45. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63663 | - |
| dc.description.abstract | С увеличением плотности интеграции и уменьшением размеров элементов появляется не
обходимость оптимизации технологических процессов фотолитографии. Для повышения разрешающей
способности и глубины фокуса объективов проекционного оборудования, работающего в УФ-диапазоне
на базе ртутных газоразрядных ламп, эффективно применение внеосевого освещения. Метод внеосево
го освещения уменьшает дифракционные ограничения и повышает разрешающую способность при про
ектных нормах порядка 250–350 нм. В статье представлены результаты комплексного анализа методов
формирования и оптимизации систем внеосевого освещения в проекционной фотолитографии, предложен
и апробирован метод имитации внеосевого кольцевого освещения для установок, не имеющих штатных
систем повышения разрешения, эффективность и адекватность которого подтверждены проведенными
экспериментальными исследованиями. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | доклады БГУИР | en_US |
| dc.subject | проекционные фотографии | en_US |
| dc.subject | минимальные элементы разрешения | en_US |
| dc.subject | экспонирование | en_US |
| dc.title | Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм | en_US |
| dc.title.alternative | The impact of off-axis illumination on the optimization of the 250–350 nm projection photolithography process | en_US |
| dc.identifier.DOI | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-2-37-45 | - |
| local.description.annotation | With increasing integration density and decreasing feature sizes, there is a need to optimize photolitho
graphy processes. Off-axis illumination is effective in increasing the resolution and depth of focus of lenses in pro
jection equipment operating in the UV range using mercury-vapor discharge lamps. Off-axis illumination reduces
diffraction limitations and improves resolution within design limits of approximately 250–350 nm. This article
presents the results of a comprehensive analysis of methods for developing and optimizing off-axis illumination
systems in projection photolithography. A method for simulating off-axis ring illumination for systems lacking
standard resolution enhancement systems is proposed and tested. The effectiveness and adequacy of this method
are confirmed by experimental studies. | en_US |
| Appears in Collections: | Том 24, № 2
|
