https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63663| Title: | Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм |
| Other Titles: | The impact of off-axis illumination on the optimization of the 250–350 nm projection photolithography process |
| Authors: | Захаревич, А. А. Ловшенко, И. Ю. |
| Keywords: | доклады БГУИР;проекционные фотографии;минимальные элементы разрешения;экспонирование |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Захаревич, А. А. Влияние внеосевого освещения на оптимизацию технологического процесса проекционной фотолитографии с проектными нормами 250–350 нм = The impact of off-axis illumination on the optimization of the 250–350 nm projection photolithography process / А. А. Захаревич, И. Ю. Ловшенко // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 2. – С. 37–45. |
| Abstract: | С увеличением плотности интеграции и уменьшением размеров элементов появляется не обходимость оптимизации технологических процессов фотолитографии. Для повышения разрешающей способности и глубины фокуса объективов проекционного оборудования, работающего в УФ-диапазоне на базе ртутных газоразрядных ламп, эффективно применение внеосевого освещения. Метод внеосево го освещения уменьшает дифракционные ограничения и повышает разрешающую способность при про ектных нормах порядка 250–350 нм. В статье представлены результаты комплексного анализа методов формирования и оптимизации систем внеосевого освещения в проекционной фотолитографии, предложен и апробирован метод имитации внеосевого кольцевого освещения для установок, не имеющих штатных систем повышения разрешения, эффективность и адекватность которого подтверждены проведенными экспериментальными исследованиями. |
| Alternative abstract: | With increasing integration density and decreasing feature sizes, there is a need to optimize photolitho graphy processes. Off-axis illumination is effective in increasing the resolution and depth of focus of lenses in pro jection equipment operating in the UV range using mercury-vapor discharge lamps. Off-axis illumination reduces diffraction limitations and improves resolution within design limits of approximately 250–350 nm. This article presents the results of a comprehensive analysis of methods for developing and optimizing off-axis illumination systems in projection photolithography. A method for simulating off-axis ring illumination for systems lacking standard resolution enhancement systems is proposed and tested. The effectiveness and adequacy of this method are confirmed by experimental studies. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/63663 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-2-37-45 |
| Appears in Collections: | Том 24, № 2 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Zaharevich_Vliyanie.pdf | 1.03 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.