| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ясюкевич, М. А. | - |
| dc.contributor.author | Евсюк, А. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-05T06:32:04Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-05T06:32:04Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Ясюкевич, М. А. Физические основы работы инфракрасных датчиков на основе сверхрешёток = Physical principles of operation of infrared sensors based on superlattices / М. А. Ясюкевич, А. В. Евсюк // Компьютерные системы и сети : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 704–707. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64030 | - |
| dc.description.abstract | Сверхрешётки II типа на основе гетероструктур InAs/GaSb представляют собой перспективный класс материалов для создания инфракрасных фотодетекторов со спектрально настраиваемой длиной волны отклика. Пространственное разделение элек тронов в слоях InAs и дырок в слоях GaSb обеспечивает подавление Оже-рекомбинации и снижение темновых токов. Разрешённые при нормальном падении оптические переходы между минизонами упрощают конструкцию матричных фотоприёмных устройств. В работе рассматриваются физические принципы работы таких датчиков: формирование минизон, механизмы подавления рекомбина ции и туннелирования, транспортные свойства, роль интерфейсов и методы теоретического расчёта зонной структуры. Эксперимен тально подтверждено высокое структурное совершенство таких структур, обеспечивающее большой выход годных элементов при производстве матричных фотоприёмников. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | сверхрешётки | en_US |
| dc.subject | инфракрасные фотодетекторы | en_US |
| dc.subject | минизоны | en_US |
| dc.subject | туннелирование | en_US |
| dc.subject | интерфейсы | en_US |
| dc.subject | зонная инженерия | en_US |
| dc.title | Физические основы работы инфракрасных датчиков на основе сверхрешёток | en_US |
| dc.title.alternative | Physical principles of operation of infrared sensors based on superlattices | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Type II superlattices based on InAs/GaSb heterostructures represent a promising class of materials for creating infrared photodetectors with spectrally tunable response wavelengths. Spatial separation of electrons in InAs layers and holes in GaSb layers suppresses Auger recombination and reduces dark currents. Optical transitions between minibands, allowed at normal incidence, simplify the design of matrix photodetectors. This paper, based on a literature review, examines the physical principles of operation of such detectors: the formation of minibands, mechanisms for suppressing recombination and tunneling, transport properties, the role of interfaces, and methods for theoretically calculating the band structure. The high structural perfection of such structures, ensuring a high yield of suitable elements in the production of matrix photodetectors, has been experimentally confirmed. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерные системы и сети : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов : сборник статей (2026)
|
