| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Заяц, И. Г. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-05T06:56:59Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-05T06:56:59Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Заяц, И. Г. Мемристоры: физические принципы работы и применение = Memristors: physical principles of operation and applica tions / И. Г. Заяц // Компьютерные системы и сети : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 678–681. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64033 | - |
| dc.description.abstract | Мемристоры – это перспективные элементы микро- и наноэлектроники. Они одновременно выполняют функции памяти и обработки информации. Работа основана на изменении сопротивления в зависимости от количества прошедшего электрического заряда. В основе физических механизмов лежит движение ионов и дефектов кристаллической решётки, например кисло родных вакансий, в активном слое под действием электрического поля. Мемристоры энергонезависимы и обеспечивают высокую плотность хранения. Кроме того, они способны принимать множество промежуточных состояний. Поэтому их рассматривают как ключевые элементы для нейроморфных вычислений, систем искусственного интеллекта и архитектур обработки данных в памяти. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | мемристивные системы | en_US |
| dc.subject | нейроморфные вычисления | en_US |
| dc.subject | резистивная память | en_US |
| dc.subject | нанотехнологии | en_US |
| dc.title | Мемристоры: физические принципы работы и применение | en_US |
| dc.title.alternative | Memristors: physical principles of operation and applica tions | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | Memristors are promising components in micro- and nanoelectronics. They simultaneously perform the functions of memory and information processing. Their operation is based on a change in resistance depending on the amount of electric charge that has passed through. The physical mechanisms are based on the movement of ions and defects in the crystal lattice, such as oxygen vacancies, in the active layer under the influence of an electric field. Memristors are non-volatile and provide high storage density. In addition, they are capable of assuming a multitude of intermediate states. Therefore, they are considered key elements for neuromorphic computing, artificial intelligence systems, and in-memory data processing architectures. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерные системы и сети : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов : сборник статей (2026)
|
