Влияние режимов очистки в высокоплотной плазме аргона на параметры поверхности оптического стекла

Abstract

Исследовано влияние параметров очистки в высокоплотной индуктивно-связанной плазме аргона на морфологию поверхности стеклянных подложек. Очистка проводилась в диапазоне мощности высокочастотного источника от 100 до 2000 Вт длительностью до 150 с. Морфология поверхности анализировалась методом атомно-силовой микроскопии, а диагностика плазмы обеспечивалась методом оптической эмиссионной спектроскопии. Установлено, что параметры очистки при мощности разряда 300 Вт и длительности 60 с обеспечивают минимальную шероховатость и удаление загрязнений без повреждения поверхности. Анализ полученных данных выявил высокую эффективность очистки длительностью 60 секунд и мощностью ВЧ-источника в 300 Вт для обработки поверхности.