| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коротко, М. С. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-06-22T10:50:44Z | - |
| dc.date.available | 2026-06-22T10:50:44Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Коротко, М. С. Разработка технологического маршрута формирования изготовления высоковольтного кремниевого диода / М. С. Корото // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 201–202. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64225 | - |
| dc.description.abstract | Экспериментально исследовано наличие зависимости пробивного напряжения от величины подаваемого тока. Исследовано влияния конструктивно технологических факторов на обратное напряжение диодов на этапе изготовления кристалла. Выявлено существенное влияние варианта изготовления пассивации на итоговое пробивное напряжение. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | высоковольтные кремниевые диоды | en_US |
| dc.subject | производственные процессы | en_US |
| dc.subject | механизмы изготовления | en_US |
| dc.subject | проектирование процессов | en_US |
| dc.title | Разработка технологического маршрута формирования изготовления высоковольтного кремниевого диода | en_US |
| Appears in Collections: | Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
