Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64225
Title: Разработка технологического маршрута формирования изготовления высоковольтного кремниевого диода
Authors: Коротко, М. С.
Keywords: материалы конференций;высоковольтные кремниевые диоды;производственные процессы;механизмы изготовления;проектирование процессов
Issue Date: 2026
Publisher: БГУИР
Citation: Коротко, М. С. Разработка технологического маршрута формирования изготовления высоковольтного кремниевого диода / М. С. Корото // Радиотехника и электроника : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов, Минск, 15–16 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники. – Минск, 2026. – С. 201–202.
Abstract: Экспериментально исследовано наличие зависимости пробивного напряжения от величины подаваемого тока. Исследовано влияния конструктивно технологических факторов на обратное напряжение диодов на этапе изготовления кристалла. Выявлено существенное влияние варианта изготовления пассивации на итоговое пробивное напряжение.
URI: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64225
Appears in Collections:Радиотехника и электроника : материалы 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Koroto_Razrabotka.pdf567.35 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.