https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64432| Title: | Синтез пленок нитрида кремния с улучшенными механическими и химическими свойствами методом ICPCVD |
| Other Titles: | Synthesis of Silicon Nitride Films with Improved Mechanical and Chemical Properties by ICPCVD Method |
| Authors: | Ковальчук, Н. С. Демидович, С. А. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н. |
| Keywords: | доклады БГУИР;индуктивно-связанная плазма;механические напряжения;жидкостное травление;фтористоводородная кислота |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Синтез пленок нитрида кремния с улучшенными механическими и химическими свойствами методом ICPCVD = Synthesis of Silicon Nitride Films with Improved Mechanical and Chemical Properties by ICPCVD Method / Н. С. Ковальчук, С. А. Демидович, Л. А. Власукова, И. Н. Пархоменко // Доклады БГУИР. – 2026. – Т. 24, № 3. – С. 52–60. |
| Abstract: | Приведены результаты исследования уровня остаточных механических напряжений и стойкости к обработке в кислотных и щелочных травителях пленок SiNx, полученных методом плазменно-активируемого осаждения из газовой фазы в реакторе индуктивно-связанной плазмы. Процесс осаждения проводился из смеси газов SiH4–N2–Ar–He при 400–500 °C. Обычно осаждение диэлектрических пленок в плазме высокой плотности осуществляется при давлении в рабочей камере в диапазоне 0,13–4,00 Па. В проведенных исследованиях за счет увеличения давления до 12–18 Па удалось существенно снизить уровень остаточных механических напряжений в пленках SiNx. При этом компактная микроструктура пленок обеспечивала их высокую химическую стойкость. Значения показателя преломления пленок варьировали от 2,06 до 1,93 в зависимости от режима осаждения. Скорость травления пленок в 50%-ной фтористоводородной кислоте составляла 25–32 нм/мин, что сравнимо со значениями для нитридных пленок, полученных высокотемпературным методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Синтезированные пленки SiNx также были устойчивы к воздействию 40%-ного раствора гидроксида калия при 90 °C. |
| Alternative abstract: | The article presents the results of a study of the residual mechanical stress level and resistance to processing in acid and alkaline etchants of SiNx films obtained by plasma-activated vapor deposition in an inductively coupled plasma reactor. The deposition process was carried out from a SiH4–N2–Ar–He gas mixture at 400–500 °C. Typically, the deposition of dielectric films in high-density plasma is carried out at a pressure in the working chamber in the range of 0.13–4.00 Pa. In the conducted studies, by increasing the pressure to 12–18 Pa, it was possible to significantly reduce the level of residual mechanical stresses in the SiNx films. At the same time, the compact microstructure of the films ensured their high chemical resistance. The refractive index of the films varied from 2.06 to 1.93, depending on the deposition mode. The etching rate of the films in 50 % hydrofluoric acid was 25–32 nm/min, which was comparable to values for nitride films obtained by high-temperature chemical vapor deposition at low pressure. The synthesized SiNx films were also resistant to exposure to a 40 % potassium hydroxide solution at 90 °C. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64432 |
| DOI: | http://dx.doi.org/10.35596/1729-7648-2026-24-3-52-60 |
| Appears in Collections: | Том 24, № 3 |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Koval'chuk_Sintez.pdf | 1.27 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.