| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Жук, Е. В. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-07-16T12:51:58Z | - |
| dc.date.available | 2026-07-16T12:51:58Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Жук, Е. В. Технология снижения токов утечки высоковольтных AlGaN/GaN транзисторов методом комбинированной LPCVD-пассивации и топологической изоляции = Leakage current reduction technology for highvoltage AlGaN/GaN transistors using combined LPCVD passivation and topological isolation / Е. В. Жук // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 233–235. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64698 | - |
| dc.description.abstract | Представлен метод изготовления мощных полевых транзисторов с
гетеропереходом на основе нитрида алюминия-галлия и нитрида галлия на подложке из
кремния. Ключевой особенностью является применение высокотемпературной пассивации
нитридом кремния, полученным методом химического осаждения из газовой фазы при
пониженном давлении, под затворным диэлектриком и использование топологии с полной
изоляцией областей стока и истока металлом затвора. Экспериментально подтверждено, что
данная комбинация эффективно подавляет поверхностные утечки, обеспечивая
минимальный ток в закрытом состоянии при высоком напряжении стока. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | полевой транзистор с гетеропереходом | en_US |
| dc.subject | нитрид алюминия-галлия | en_US |
| dc.subject | нитрид галлия | en_US |
| dc.subject | силовая электроника | en_US |
| dc.subject | ток утечки | en_US |
| dc.subject | пассивация | en_US |
| dc.subject | нитрид кремния | en_US |
| dc.subject | химическое осаждение из газовой фазы | en_US |
| dc.subject | топология затвора | en_US |
| dc.subject | изоляция стока | en_US |
| dc.subject | структура металл-диэлектрик-полупроводник | en_US |
| dc.subject | высоковольтные транзисторы | en_US |
| dc.title | Технология снижения токов утечки высоковольтных AlGaN/GaN транзисторов методом комбинированной LPCVD-пассивации и топологической изоляции | en_US |
| dc.title.alternative | Leakage current reduction technology for highvoltage AlGaN/GaN transistors using combined LPCVD passivation and topological isolation | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | A fabrication method for high-power aluminum gallium nitride/gallium nitride
heterojunction field-effect transistors on silicon substrates is presented. The key feature is the
application of high-temperature silicon nitride passivation deposited by low pressure chemical vapor
deposition under the gate dielectric combined with a topology providing complete isolation of source
and drain regions by the gate metal. Experiments confirmed that this combination effectively
suppresses surface leakage, achieving minimum off-state current at high drain voltage. | en_US |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
