https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64699| Title: | Формирование высокоомных резистивных пленок оксида и нитрида кремния-титана методом магнетронного распыления |
| Other Titles: | Formation of high-resistance resistive films of oxide and nitride of silicon-titan by magnetron sputtering |
| Authors: | Александрович, П. А. Бохань, Л. |
| Keywords: | материалы конференций;тонкопленочные резисторы;реактивное магнетронное распыление;совместное распыление;удельное сопротивление;температурный коэффициент сопротивления |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Александрович, П. А. Формирование высокоомных резистивных пленок оксида и нитрида кремния-титана методом магнетронного распыления = Formation of high-resistance resistive films of oxide and nitride of silicon-titan by magnetron sputtering / П. А. Александрович, Л. Бохань // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 236–238. |
| Abstract: | Исследованы зависимости электрофизических характеристик пленок оксида и нитрида кремния-титана от параметров процесса совместного магнетронного распыления. Установлено, что удельное сопротивление пленок нитрида и оксида кремния-титана имело сильную зависимость от концентрации реактивного газа в камере. Для всех образцов наблюдались отрицательные значения температурный коэффициент сопротивления (ТКС) (0,04%/°C – 1,08 %/°C). При увеличении удельного сопротивления ТКС пленок увеличивался. |
| Alternative abstract: | The dependence of the electrophysical characteristics of silicon-titanium oxide and nitride films on the parameters of the magnetron co-sputtering process was studied. It was found that resistivity of the silicon-titanium nitride and oxide films deposited by the reactive magnetron co-sputtering method had a strong dependence on the concentration of the reactive gas in the chamber. Negative TCR values (0.04%/°C – 1.08%/°C) were observed for all samples. As the resistivity of the films increased, the TCR increased. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64699 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026) |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Alexandrovitch_Formirovanie.pdf | 337.02 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.