| Title: | Закономерности изменения скорости ионно-лучевого травления кварца при варьировании угла наклона ионного пучка |
| Other Titles: | Angle dependence of ion beam etching rate of quartz substrates for optical surface correction |
| Authors: | Ходяков, И. В. |
| Keywords: | материалы конференций;оптические элементы;варьирование параметров;технологии микромашиностроения;закономерности травления;ионные травления |
| Issue Date: | 2026 |
| Publisher: | БГУИР |
| Citation: | Ходяков, И. В. Закономерности изменения скорости ионно-лучевого травления кварца при варьировании угла наклона ионного пучка = Angle dependence of ion beam etching rate of quartz substrates for optical surface correction / И. В. Ходяков // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 379–381. |
| Abstract: | В работе исследована зависимость скорости ионно-лучевого травления кварцевой подложки от угла падения ионного пучка при фиксированных параметрах обработки. Эксперимент проводился с использованием ионного пучка с аргоном в качестве рабочего газа, энергией 1000 эВ и шириной 8 мм. На поверхности образца сформированы локальные области травления при углах падения в диапазоне от 0° до 40° при постоянном времени воздействия 300 с для каждой точки. Установлено, что с увеличением угла наклона ионного пучка наблюдается рост глубины травления, достигающий двукратного увеличения по сравнению с нормальным падением. Результаты работы могут быть использованы при оптимизации процессов ионно-лучевой полировки оптических элементов. |
| Alternative abstract: | This work investigates the dependence of the ion beam etching rate of quartz substrates on the ion incidence angle under fixed processing conditions. The experiment was carried out using an argon ion beam with an energy of 1000 eV and a beam width of 8 mm. Local etching areas were formed on the sample surface at incidence angles ranging from 0° to 40°, with a constant irradiation time of 300 s for each point. It was found that the etching depth increases with increasing ion incidence angle, with the maximum value being approximately twice as high as that at normal incidence. The observed behavior is attributed to the enhanced energy transfer to near-surface atoms at oblique ion incidence, leading to an increase in sputtering efficiency. The results confirm that the ion incidence angle is a key parameter governing the ion beam etching process. The obtained data can be used for optimization of ion beam polishing processes in optical applications, particularly for limiting the incidence angle during the correction of lenses with high surface curvature. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64724 |
| Appears in Collections: | Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)
|
