Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64744
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПотылкин, А. Н.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2026-07-20T06:54:41Z-
dc.date.available2026-07-20T06:54:41Z-
dc.date.issued2026-
dc.identifier.citationПотылкин, А. Н. Формирование фторуглеродных покрытий, легированных азотом = Formation of nitrogen-alloyed fluorocarbon coatings / А. Н. Потылкин // Электронные системы и технологии : сборник материалов 62-й научной конференции аспирантов, магистрантов и студентов БГУИР, Минск, 13–17 апреля 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: П. В. Камлач [и др.]. – Минск, 2026. – С. 393–396.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/64744-
dc.description.abstractИсследовано влияние парциального давления азота на скорость нанесения и характеристики фторуглеродных покрытий. Установлено, что увеличение доли азота способствовало снижению скорости нанесения, оптического пропускания в видимом диапазоне и коэффициента трения фторуглеродных покрытий, что можно связать с заменой химических связей С–F на С–N.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectфторуглеродные покрытияen_US
dc.subjectионно-лучевые распыленияen_US
dc.subjectдавление азотаen_US
dc.subjectоптические характеристикиen_US
dc.subjectтрибологические характеристикиen_US
dc.titleФормирование фторуглеродных покрытий, легированных азотомen_US
dc.title.alternativeFormation of nitrogen-alloyed fluorocarbon coatingsen_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationThe effect of nitrogen partial pressure on the deposition rate and performance of fluorocarbon coatings was studied. It was found that increasing the nitrogen fraction resulted in a decrease in the deposition rate, visible optical transmittance, and friction coefficient of the fluorocarbon coatings, which can be attributed to the replacement of C–F chemical bonds with C–N.en_US
Appears in Collections:Электронные системы и технологии : материалы 62-й конференции аспирантов, магистрантов и студентов (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Potylkin_Formirovanie.pdf784.39 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.