| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Белый, Г. В. | - |
| dc.contributor.author | Лопато, У. П. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.contributor.author | Гревцов, Н. Л. | - |
| dc.contributor.author | Чубенко, Е. Б. | - |
| dc.contributor.author | Лабунов, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-10-30T06:08:44Z | - |
| dc.date.available | 2026-10-30T06:08:44Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана для интегральных оптических волноводов = Formation of a dielectric material derived from oxidized porous silicon and titanium oxide for integrated optical waveguides / Г. В. Белый, У. П. Лопато, В. П. Бондаренко, Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии. – 2026. – Т. 93, № 4. – С. 548–555. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66004 | - |
| dc.description.abstract | Продемонстрирована возможность формирования диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана путем осаждения последнего в пористый кремний золь-гель методом и последующего высокотемпературного окисления. Полученный в результате реализации предложенной методики диэлектрический материал характеризуется увеличенным показателем преломления, что делает его перспективным для создания интегральных оптических канальных волноводов с низкими потерями в объемных микросборках электронных схем с оптическими соединениями. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.subject | публикации ученых | en_US |
| dc.subject | показатели преломления | en_US |
| dc.subject | оптические волноводы | en_US |
| dc.subject | диэлектрические материалы | en_US |
| dc.title | Формирование диэлектрического материала на основе окисленного пористого кремния и оксида титана для интегральных оптических волноводов | en_US |
| dc.title.alternative | Formation of a dielectric material derived from oxidized porous silicon and titanium oxide for integrated optical waveguides | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| dc.identifier.DOI | 10.1007/s10812-026-02154-6 | - |
| local.description.annotation | The feasibility of forming a dielectric material based on oxidized porous silicon and titanium oxide by depositing the latter onto porous silicon using the sol-gel method and subsequent high-temperature oxidation is demonstrated. The resulting dielectric material is characterized by an increased refractive index, making it promising for the creation of low-loss integrated optical channel waveguides in bulk microassemblies of elec- tronic circuits with optical interconnects. | en_US |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
