| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Корсак, К. В. | - |
| dc.contributor.author | Новиков, Ф. П. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-04T07:31:22Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-04T07:31:22Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Корсак, К. В. Подходы к многоуровневому компьютерному проектированию транзисторов с круговым затвором с high-k диэлектриками = Approaches to multi-level computer-aided design of gate-all-around transistors with high-k dielectrics / К. В. Корсак, Ф. П. Новиков // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 153–155. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66068 | - |
| dc.description.abstract | рассмотрены подходы к многоуровневому компьютерному проектированию транзисторов с
круговым затвором, содержащих подзатворный диэлектрик с высокой относительной диэлектрической
проницаемостью (high-k). Описаны задачи технологического, приборного и схемотехнического уровней
моделирования. Определены особенности, обусловленные геометрией канала, свойствами high-k и
паразитными параметрами структуры. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | high-k диэлектрики | en_US |
| dc.subject | компьютерное проектирование | en_US |
| dc.subject | приборное моделирование | en_US |
| dc.title | Подходы к многоуровневому компьютерному проектированию транзисторов с круговым затвором с high-k диэлектриками | en_US |
| dc.title.alternative | Approaches to multi-level computer-aided design of gate-all-around transistors with high-k dielectrics | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | approaches to multi-level computer-aided design of gate-all-around transistors with high-permittivity
(high-k) gate dielectric are considered. Process-level, device-level, and circuit-level modeling tasks are
described. Features related to channel geometry, high-k stack properties, and parasitic parameters are
identified. The design flow is closed by a DTCO feedback loop. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
