| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Новиков, Ф. П. | - |
| dc.contributor.author | Пашкевич, В. Э. | - |
| dc.contributor.author | Ветошкин, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Якуш, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Волчёк, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.coverage.spatial | Минск | en_US |
| dc.date.accessioned | 2026-11-05T07:26:29Z | - |
| dc.date.available | 2026-11-05T07:26:29Z | - |
| dc.date.issued | 2026 | - |
| dc.identifier.citation | Применение метода Монте-Карло при моделировании технологического маршрута формирования кремниевых приборных структур с проектными нормами 90 НМ = Monte Carlo simulation of process flow for silicon device structures / Ф. П. Новиков, В. Э. Пашкевич, В. В. Ветошкин, В. С. Якуш, В. С. Волчёк [и др.] // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 147–148. | en_US |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66084 | - |
| dc.description.abstract | в работе представлены результаты компьютерного моделирования полного
технологического маршрута формирования n-канального МОП-транзистора с проектными нормами
90 нм, охватывающего более 20 основных и 50 вспомогательных операций. Рассмотрены этапы
формирования изоляции типа «мелкая канавка» глубиной 310 нм с углом наклона стенок 85°,
выращивания подзатворного диэлектрика толщиной 7 нм, формирования поликремниевого затвора
длиной 140 нм и боковых диэлектрических спейсеров шириной 50 нм. | en_US |
| dc.language.iso | ru | en_US |
| dc.publisher | БГУИР | en_US |
| dc.subject | материалы конференций | en_US |
| dc.subject | ионная имплантация | en_US |
| dc.subject | МОП-транзисторы | en_US |
| dc.title | Применение метода Монте-Карло при моделировании технологического маршрута формирования кремниевых приборных структур с проектными нормами 90 НМ | en_US |
| dc.title.alternative | Monte Carlo simulation of process flow for silicon device structures | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| local.description.annotation | this paper presents the results of computer simulation of the complete process flow for forming an
n-channel MOSFET with 90 nm node, covering more than 20 main and 50 auxiliary operations. The stages of
forming shallow trench isolation with a depth of 310 nm and an 85° sidewall slope angle, a gate dielectric with a
thickness of 7 nm, a polysilicon gate with a length of 140 nm and sidewall spacers with a width of 50 nm are
considered. | en_US |
| Appears in Collections: | Компьютерное проектирование в электронике (2026)
|
