Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66086
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКоряковка, Е. Е.-
dc.contributor.authorЕфремов, А. М.-
dc.coverage.spatialМинскen_US
dc.date.accessioned2026-11-05T07:42:33Z-
dc.date.available2026-11-05T07:42:33Z-
dc.date.issued2026-
dc.identifier.citationКоряковка, Е. Е. 0D моделирование индуктивно-связанной плазмы гексафторэтана в реакторе плазмохимического травления = 0D modeling of inductively-coupled hexafluoroethane plasma in plasma chemical etching reactor / Е. Е. Корякова, А. М. Ефремов // Компьютерное проектирование в электронике = Electronic Design Automation : сборник научных трудов Международной научно-практической конференции, Минск, 23 октября 2026 г. / Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники ; редкол.: В. Р. Стемпицкий [и др.]. – Минск, 2026. – С. 69–72.en_US
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/66086-
dc.description.abstractПроведено комплексное (теоретическое и экспериментальное) исследование физикохимических свойств низкотемпературной плазмы гексафторэтана (С2F6), применяемой в процессах высокоселективного плазмохимического травления диэлектрических слоев. Разработана нульмерная (0D) самосогласованная кинетическая модель плазмы, учитывающая балансы концентраций нейтральных и заряженных частиц, баланс энергии электронов и тепловой баланс нейтрального газа. По сравнению с предшествующими работами модель дополнена блоком реакций многоканальной рекомбинации атомов и радикалов на стенках реактора. Продемонстрировано лучшее согласие между расчетными и экспериментальными данными по концентрациям электронов, атомов F и радикалов CF2 в диапазоне давлений 5–35 мтор и вкладываемой мощности 100–350 Вт.en_US
dc.language.isoruen_US
dc.publisherБГУИРen_US
dc.subjectматериалы конференцийen_US
dc.subjectплазмохимическое травлениеen_US
dc.subjectС2F6en_US
dc.subjectгексафторэтаныen_US
dc.subject0D модельen_US
dc.subjectкинетика плазмыen_US
dc.subjectгетерогенная рекомбинацияen_US
dc.title0D моделирование индуктивно-связанной плазмы гексафторэтана в реакторе плазмохимического травленияen_US
dc.title.alternative0D modeling of inductively-coupled hexafluoroethane plasma in plasma chemical etching reactoren_US
dc.typeArticleen_US
local.description.annotationA comprehensive theoretical and experimental study of the characteristics of low-temperature hexafluoroethane (C2F6) plasma used in the processes of highly selective plasmochemical etching of dielectric layers has been carried out. A zero-dimensional (0D) self-consistent kinetic model has been developed that takes into account the density balances of neutral and charged particles, the energy balance of electrons, and the thermal balance of a neutral gas. The model is complemented by a block of heterogeneous reactions of recombination of radicals and atoms on the reactor walls. A satisfactory agreement between model-predicted and experimental data was demonstrated for gas pressures of 5-35 mtorr and input powers of 100-350 W.en_US
Appears in Collections:Компьютерное проектирование в электронике (2026)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Koryakova_0D_Modelirovanie.pdf245.33 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.