| Title: | Формирование термостойких контактов для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия |
| Authors: | Телеш, Е. В. |
| Keywords: | публикации ученых;термостойкие контакты;барьер Шоттки;арсенид галлия;диборид титана;деградация контактов |
| Issue Date: | 2015 |
| Publisher: | Электроника-инфо |
| Citation: | Телеш, Е. В. Формирование термостойких контактов для приборов с барьером Шоттки на арсениде галлия / Е. В. Телеш // Электроника-инфо. - 2015. - № 5 (119) . - С. 57 - 59. |
| Abstract: | Исследованы процессы ионно-лучевого формирования
термостойких контактов с барьером Шоттки на арсениде
галлия с использованием в качестве контактного слоя
диборида титана. Изучено влияние режимов нанесения
на адгезию и пористость контактного слоя. Исследована
термостойкость контактов TiB2/n-GaAs и Au/TiB2/n-GaAs.
Установлено, что контакты на основе TiB2 выдерживают
воздействие температур до 973–1073 К. Предложены воз-
можные причины деградации контактов. |
| Alternative abstract: | Processes of is ion-beam forming of thermally stable contacts with Schottky barrier on gallium arsenide with use titanium diboride as contact layer material are explored. Influence of coating conditions on adhesion and porosity of contact layer were studied. Thermal stability of contact electrodes TiB2/n-GaAs and Au/TiB2/n-GaAs was explored. It is positioned, that contact electrodes on the basis of TiB2 soak action of temperatures to 973 1073 K. The possible reasons of contact degradation were proposed. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6760 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
