Моделирование электрических характеристик приборных структур, включающих наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями : отчет о НИР (заключ.)

Abstract

В результате выполнения по НИР получены следующие основные результаты. Разработана модель наноэлектронных приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, учитывающая влияние зоны проводимости и валентной зоны. Получено удовлетворительное согласование результатов расчетов с экспериментальными данными. Разработаны средства моделирования приборных структур на эффекте резонансного туннелирования, включающие наноразмерные области Si/Ge, с протяженными приконтактными областями. С использованием разработанных модели и средств моделирования исследованы закономерности функционирования данных структур в зависимости от их конструктивно- технологических параметров.