Фотоприемные устройства на основе наноструктурированных оксидов титана и вольфрама : отчет о НИР (заключ.)

Abstract

Разработаны и изготовлены экспериментальные устройства на основе наноструктурированных пленок оксидов титана и вольфрама для исследования их фотоэлектрических свойств. Исследованы спектры фотонапряжения экспериментальных структур на основе пленок пористых оксидов титана и вольфрама, полученных на подложках монокристаллического кремния. Установлено, что фотонапряжение в сформированных структурах наблюдается для энергии фотонов более 3,0 эВ в случае наноструктурированного оксида титана и более 2,6 эВ в случае наноструктурированного оксида вольфрама, что согласуется с имеющимися данными о ширине запрещенной зоны исследуемых материалов. Пологое увеличение амплитуды фотонапряжения свидетельствует о том, что внутри исследуемых структур могут присутствовать различные фазовые состояния оксидов. Подобное поведение характерно для оксидов переходных металлов, так как эти оксиды могут иметь различную валентность.