Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Title: Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа
Other Titles: Simulation of Graphene Resonant Tunneling Diodes on the Substrates of Various Types
Authors: Абрамов, И. И.
Коломейцева, Н. В.
Лабунов, В. А.
Романова, И. А.
Abramov, I. I.
Kolomejtseva, N. V.
Labunov, V. A.
Romanova, I. A.
Keywords: публикации ученых;резонансно-туннельный диод;графен;карбид кремния;гексагональный нитрид бора;уравнение Шредингера;численная модель;моделирование;resonant tunneling diode;graphene;silicon carbide;hexagonal boron nitride;Schrodinger equation;numerical mod­el;simulation
Issue Date: 2015
Citation: Моделирование резонансно-туннельных диодов на основе графена на подложках различного типа / И. И. Абрамов и др. // Нано- и микросистемная техника. – 2015. – № 11. – С. 3 – 10.
Abstract: С использованием разработанных численных моделей проведено моделирование резонансно-туннельных диодов (РТД) на основе графена на подлож ках карбида кремния и гексагонального нитрида бора. Исследовано влияние различных факторов на вольт-амперные характеристики. Показана важность использования самосогласованного расчета при моделировании РТД на основе графена с протяженными приконтактными областями.The article describes the models developed on the numerical solution o f Schrodinger equation (model 1) and Schrddinger and Poisson equations (model 2). Simulation o f the two graphene resonant tunneling diodes on SiC (RTD 1) and h -B N (RTD 2) sub­ strates was performed using the proposed numerical models. The influence o f various factors (well width d, barrier width wb, tem­ perature T) on IV-characteristics was investigated. The importance o f a self-consistent calculation with the use o f model 2 fo r sim­ ulation o f graphene RTD with extended (passive) regions was illustrated.
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
161031.pdf455.82 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.