Репозиторий БГУИР: Browsing DSpace

Browsing by Subject band gap

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
or enter first few letters:

Showing results 6 to 20 of 20 < previous

Issue Date	Title	Author(s)
2020	Optical Characteristics of Antireflection Coatings Based on Al2O3-SiO2 for Silicon Solar Cells	Suleymanov, S. X.; Gremenok, V. F.; Khoroshko, V. V.; Ivanov, V. A.; Dyskin, V. G.; Djanklich, M. U.; Kulagina, N. A.
2021	Optical Properties of Porous Alumina Assisted Niobia Nanostructured Films–Designing 2-D Photonic Crystals Based on Hexagonally Arranged Nanocolumns	Pligovka, A. N.; Poznyak, A. A.; Norek, M.
2018	Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films	Migas, D. B.; Bogorodz, V. O.; Filonov, A. B.; Borisenko, V. E.; Skorodumova, N. V.
2023	Structural and electronic properties of layered graphitic carbon nitride	Shaposhnikov, V. L.; Krivosheeva, A. V.; Pushkarchuk, V. A.; Pushkarchuk, A. L.; Borisenko, V. E.
2021	Temperature dependence of AgIn13S20 single crystal band gap	Bodnar, I. V.; Feschenko, A. A.; Khoroshko, V. V.; Pavlovskii, V. N.; Svitsiankou, I. E.; Yablonskii, G. P.
2023	Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystals	Bodnar, I. V.; Feshchanka, A. A.; Khoroshko, V. V.; Pavlovskii, V. N.; Svitsiankou, I. E.; Yablonskii, G. P.
2021	The Effect of Compressive and Tensile Strains on the Electron Structure of Phosphorene	Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Štich, I.
2015	Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2	Borisenko, V. E.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Lazzari, J. L.; Waileong, C.; Gusakova, J.; Tay, B. K.
2021	Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена	Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.; Krivosheeva, A. V.; Shaposhnikov, V. L.; Borisenko, V. E.
2017	Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений	Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016	Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура	Кривошеева, А. В.; Шапошников, В. Л.; Борисенко, В. Е.
2016	Оптические свойства тонких пленок соединения In2Se3	Боднарь, И. В.; Bodnar, I. V.
2022	Особенности спектров пропускания и значений ширины запрещённой зоны прямозонных полупроводниковых материалов в объёмном и пленочном состояниях	Осмоловская, Т. Н.
2016	Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств	Ковалевский, А. А.; Комар, О. М.
2016	Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In2S3 и AgIn5S8	Боднарь, И. В.; Bodnar, I. V.

Showing results 6 to 20 of 20 < previous