Skip navigation
Home
Browse
Browse Items by:
Issue Date
Author
Title
Subject
Communities & Collections
Lang
русский
English
Log in:
My DSpace
Receive email
updates
Edit Profile
Репозиторий БГУИР
Browsing by Subject band gap
Jump to:
0-9
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
А
Б
В
Г
Д
Е
Ж
З
И
Й
К
Л
М
Н
О
П
Р
С
Т
У
Ф
Х
Ц
Ч
Ш
Щ
Ъ
Ы
Ь
Э
Ю
Я
or enter first few letters:
Sort by:
title
issue date
submit date
In order:
Ascending
Descending
Results/Page
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
Authors/Record:
All
1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Showing results 8 to 20 of 20
< previous
Issue Date
Title
Author(s)
2018
Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films
Migas, D. B.
;
Bogorodz, V. O.
;
Filonov, A. B.
;
Borisenko, V. E.
;
Skorodumova, N. V.
2023
Structural and electronic properties of layered graphitic carbon nitride
Shaposhnikov, V. L.
;
Krivosheeva, A. V.
;
Pushkarchuk, V. A.
;
Pushkarchuk, A. L.
;
Borisenko, V. E.
2021
Temperature dependence of AgIn13S20 single crystal band gap
Bodnar, I. V.
;
Feschenko, A. A.
;
Khoroshko, V. V.
;
Pavlovskii, V. N.
;
Svitsiankou, I. E.
;
Yablonskii, G. P.
2023
Temperature dependence of the band gap of AgIn7S11 single crystals
Bodnar, I. V.
;
Feshchanka, A. A.
;
Khoroshko, V. V.
;
Pavlovskii, V. N.
;
Svitsiankou, I. E.
;
Yablonskii, G. P.
2021
The Effect of Compressive and Tensile Strains on the Electron Structure of Phosphorene
Krivosheeva, A. V.
;
Shaposhnikov, V. L.
;
Štich, I.
2015
Theoretical study of defect impact on two-dimensional MoS2
Borisenko, V. E.
;
Krivosheeva, A. V.
;
Shaposhnikov, V. L.
;
Lazzari, J. L.
;
Waileong, C.
;
Gusakova, J.
;
Tay, B. K.
2021
Влияние деформаций решетки на электронную структуру монослоя дисульфида молибдена
Кривошеева, А. В.
;
Шапошников, В. Л.
;
Борисенко, В. Е.
;
Krivosheeva, A. V.
;
Shaposhnikov, V. L.
;
Borisenko, V. E.
2017
Методика моделирования электронных свойств объемных полупроводниковых соединений
Кривошеева, А. В.
;
Шапошников, В. Л.
;
Борисенко, В. Е.
2016
Модификация ширины запрещенной зоны MoS2 при замещении атомов серы атомами теллура
Кривошеева, А. В.
;
Шапошников, В. Л.
;
Борисенко, В. Е.
2016
Оптические свойства тонких пленок соединения In2Se3
Боднарь, И. В.
;
Bodnar, I. V.
2022
Особенности спектров пропускания и значений ширины запрещённой зоны прямозонных полупроводниковых материалов в объёмном и пленочном состояниях
Осмоловская, Т. Н.
2016
Получение методами самораспространяющегося высокотемпературного синтеза и механохимии наноструктурированных порошков дисилицида титана и исследование их физико-химических свойств
Ковалевский, А. А.
;
Комар, О. М.
2016
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов соединений In2S3 и AgIn5S8
Боднарь, И. В.
;
Bodnar, I. V.