Skip navigation

Browsing by Subject арсенид галлия

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я
 
Showing results 1 to 7 of 7
Issue DateTitleAuthor(s)
2024Исследование влияния режимов отжига подложки GaAs(lll) на характеристики наноуглублений, формируемых фокусированными ионными пучкамиЛахина, Е. А.; Черненко, Н. Е.; Кириченко, Д. В.; Шандыба, Н. А.; Балакирев, С. В.; Солодовник, М. С.
2015Моделирование дрейфовой скорости электронов в GaAs/AlxGa1-xAs гетероструктуре с использованием метода Монте-КарлоМищенко, В. Н.
2018Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в арсениде галлия методом Монте-КарлоМищенко, В. Н.
2015Моделирование средней дрейфовой скорости электронов в одномерной структуре из арсенида галлияМищенко, В. Н.
2015Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней.Телеш, Е. В.
2020Теплопроводность наношнуров из арсенида галлия (GaAs)Холяво, И. И.
2016Трехмерное моделирование выходных характеристик GaAs транзисторов с субмикронной длиной затвораМищенко, В. Н.