Title: | Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней. |
Authors: | Телеш, Е. В. |
Keywords: | публикации ученых;полевые транзисторы;барьер Шоттки;диэлектрические мишени;арсенид галлия;ионно-лучевое распыление |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | Электроника-инфо |
Citation: | Телеш, Е. В. Пассивация полевых транзисторов с барьером Шоттки на арсениде галлия с применением ионно-лучевого распыления диэлектрических мишеней / Е. В. Телеш // Электроника-инфо. – 2015. – № 7 (121). – С. 59–62. |
Abstract: | Проведено исследование процессов пассивации полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs с применением ионно-лучевого распыления мишеней из кварца, оксида алюминия и нитрида алюминия. Установлено влияние режимов распыления на ток заряженных частиц в области подложки. Изучено влияние режимов нанесения на адгезию пассивирующего слоя к GaAs.
Установлено, что с ростом тока разряда происходит увеличение адгезии диэлектрического слоя. Диэлектрические слои, сформированные ИЛР, обладают адгезией, которая в 2–4 раза выше, чем у слоев, полученных низкотемпературным окислением и электронно-лучевым испарением. Проведено исследование границы раздела AlN/GaAs. Показано что, свойства границы раздела во
многом определяются параметрами процесса формирования диэлектрика. Показано, что ионно-лучевое распыление диэлектрических мишеней является перспективным для формирования пассивирующих слоев для активных структур на GaAs. |
URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/6761 |
Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|