| Issue Date | Title | Author(s) |
| 2023 | Влияние дефектов и примесей на электронные и магнитные свойства латеральных гетероструктур на основе дисульфидов переходных металлов | Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е. |
| 2021 | Генерация терагерцового излучения в полупроводниковых гетероструктурах субпикосекудными лазерными импульсами | Зезюля, П. А.; Малевич, В. Л.; Кроткус, А. |
| 2022 | Зарядовые свойства гетероструктуры графен/диэлектрик/кремний | Мельникова, В. В. |
| 2024 | Инструментарий для расчета характеристик гетероструктур, содержащих GaN, SiC и графен | Абрамов, И. И.; Коломейцева, Н. В.; Батура, М. П.; Ермак, В. О. |
| 2018 | Ионное наслаивание наноразмерных пленочных структур на основе сульфидов самария | Галковский, Т. В.; Богомазова, Н. В.; Мурашкевич, А. Н.; Захлебаева, А. И.; Горох, Г. Г. |
| 2023 | Напряжение холостого хода в гетероструктуре оксид молибдена/кремний при облучении солнечным светом | Самойлич, И. Д. |
| 2010 | Особенности частотной дисперсии диэлектрической проницаемости гетероструктур на основе ZNAS2 / Редько С. В. [и др.] // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVIII Белорусско-российской научно-технической конференции, Браслав, 24–28 мая 2010 г. / редкол.: Л. М. Лыньков [и др.]. – Минск : БГУИР, 2010. – С. 118–119. | Редько, С. В.; Шёлковая, Т. В.; Петрович, В. А.; Трухан, В. М. |
| 2024 | Применение pHEMT-транзисторов в схеме балансного гетеродина приемопередатчика миллиметрового диапазона на частоте 28 ГГц | Ксенофонтов, Ю. Г.; Цой, С. К. |
| 2023 | Применение компьютерного моделирования для создания гетероструктур транзисторов | Калита, О. В. |
| 2025 | Спектрально-зарядовые свойства гетероструктуры пленка углеродных нанотрубок / кремний под воздействием инфракрасного излучения | Курапцова, А. А.; Данилюк, А. Л. |
| 2016 | Формирование и исследование матричных TiO2/Bi2O3 наноструктур | Захлебаева, А. И.; Горох, Г. Г.; Жилинский, В. В.; Богомазова, Н. В. |
| 2024 | Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси | Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е. |
| 2018 | Элементный состав на границе раздела нанопленки диспрозия-нанокластеры Si, Ge и SiGe | Строгова, А. С.; Ковалевский, А. А.; Гранько, С. В.; Воронец, Я. С. |
