https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59120| Title: | Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси |
| Authors: | Шапошников, В. Л. Кривошеева, А. В. Борисенко, В. Е. |
| Keywords: | публикации ученых;наноустройства;полупроводниковые материалы;2D-материалы;двумерные материалы;гетероструктуры |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова НАН Беларуси |
| Citation: | Шапошников, В. Л. Электронные и оптические свойства латеральных гетероструктур из дисульфидов переходных металлов, содержащих дефекты и примеси / В. Л. Шапошников, А. В. Кривошеева, В. Е. Борисенко // Фуллерены и наноструктуры в конденсированных средах : сборник научных статей / Институт тепло- и массообмена имени А. В. Лыкова НАН Беларуси ; редкол.: О. Г. Пенязьков [и др.]. – Минск, 2024. – С. 337–342. |
| Abstract: | Двумерные (2D) структуры атомарной толщины привлекают повышенное внимание благодаря своим уникальным физическим и химическим свойствам и рассматриваются в качестве основы полупроводниковых материалов для наноустройств нового поколения [1]. В последние годы существенно возросло количество теоретических и экспериментальных исследований таких материалов как графена, h-BN, фосфорена, дихалькогенидов переходных металлов. По сравнению с прочной ковалентной связью между слоями в традиционных полупроводниках, в 2D-материалах отдельные слои атомарной или молекулярной толщины связаны между собой слабыми силами Ван-дер-Ваальса, которые способствуют существованию стабильной многослойности в них. |
| URI: | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/59120 |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь |
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| SHaposhnikov_EHlektronnye.pdf | 1.2 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.